4200半導体パラメータアナライザ:「超速I-V試験」の基礎



開催日2010年9月28日(火)
開催時間午前10時より(日本時間)
概要 4200型半導体パラメータアナライザに新たに加わった「超速I-Vモジュール」が拓く
アプリケーションとそれを実現した超速I-Vの概要と技術のポイントをやさしく解説します。

内容は、
1. 3つのコアの測定タイプ
2. 超速 I-V(トランジェント&パルスI-V)とは?
3. 超速 I-V 測定の4つのセットアップ
4. 超速 I-V による試験アプリケーション
5. 超速 I-V 測定器の概要

(最後にライブでのQ&Aセッションがあります)
関連製品
 

4200型 半導体パラメータナライザ
 
4225-PMU型 超速I-Vモジュール
期待する参加者 測定対象物(DUT)が、
  • 半導体材料・デバイス
  • ナノテクおよびMEMS材料・デバイス
  • 太陽電池
  • その他、超速I-V評価が必要なもの

超速I-V試験に関して、
  • 現在、課題を抱えている方
  • これから行おうとしている方
  • 一般的な知識を得たい方
担当エンジニア Lee Stauffer (リー・スタウファー)
Senior Staff Technologist
(本セミナの開発者、今回のプレゼンテーションは日本人が代行)

大学では、電気工学と物理学(修士)を専攻し、ケースレー入社以前は衛星通信システム、半導体工場(装置と製品技術)でキャリアを重ねた。ケースレーに入社して22年になるが、これまでアプリケーションエンジニア、技術開発エンジニアそしてビジネス開発にかかわり現在は、半導体測定グループのシニアスタッフとして活躍している。
言語 このセミナーは、日本語で行われます。ご質問に対しても専門家が口頭の日本語でお答えします。参加者の皆様は、プレゼンテーション中および質疑応答時間に、日本語で入力してご質問をお送りいただくことができます。
お知らせ ライブセミナー終了後、アンケートを送信いただきますと、iPod nano が当たる抽選に応募いただけます。